| 专利名称： | 非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法 |
| 公开（告）号： | CN101284730 |
| 公开（公告）日： | 2008-10-15 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200810058401.7 |
| 申请日： | 2008-05-16 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 昆明理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 甘国友;王立惠;严继康;孙加林;杜景红;陈敬超 |
| 内容： | 本发明涉及一种非Bi系低压ZnO压敏陶瓷材料的制造方法，属于电器元件及其材料制造技术领域。用ZnO加上从掺杂元素Al、Fe、Eu、Pr、La、 Ce、Nd、B、Si、Mn、Cr、Co、Pb、Ti、纳米ZnO中任选的氧化物粉组成混合原料，将其混合磨细，经干燥，压制成块，600～750℃进行预烧，再放入球磨罐研磨，干燥，过筛后造粒，将粉料压制成小圆片并逐渐加热到600～ 720℃保温排胶，后进一步加热烧结并冷却到室温，得到低压ZnO压敏陶瓷材料；再进行表面加工，被电极烧银，经测试后封装，得到低压ZnO压敏电阻。具有制作工艺简单、成本较低、性能好、使用范围广，所生产电阻重复性、稳定性、一致性好，电参数值有显著改进等优点。 |
发布日期：2008-11-15 10:46:00