| 专利名称： | 一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100424038 |
| 公开（公告）日： | 2008-10-08 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610124096.8 |
| 申请日： | 2006-12-07 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 华南理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 凌志远;郭 栋 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及一种低温烧结高频热稳定介质陶瓷及其制备方法。其组成为： 100Ba3Ti5Nb6O28+aCaNb2O6+bZnO-B2O3，其中，a、b按质量份数计，0≤a≤115，5≤b≤8；其制备方法是将Ba3Ti5Nb6O28、CaNb2O6、ZnO-B2O3混合，加入粘合剂造粒，成型，在910～970℃ 下烧结。-55℃～+125℃下的电容温度系数TCC在±30×10-6/℃范围内；介电常数εr＝25～41，1MHz 下介质损耗tgδ＜3×10-4；制备工艺简单，重现性好；适合于制作符合美国EIA标准NP0温度特性多层片式陶瓷电容器。 |
发布日期：2008-11-19 16:10:00