| 专利名称： | 制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法 |
| 公开（告）号： | CN101289317 |
| 公开（公告）日： | 2008-10-22 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200810050791.3 |
| 申请日： | 2008-06-04 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 秦杰明;姚 斌;张吉英;申德振;赵东旭;张振中;李炳辉 |
| 内容： | 本发明涉及制备透明、低阻氧化锌半导体陶瓷的方法，特别是一种热压烧结法制备n型氧化锌半导体透明陶瓷的方法，是以粉体ZnO为原料，在压力为2～5.1GPa、温度为400～900℃条件下热压烧结获得n型ZnO多晶半导体透明陶瓷。该方法制备的n型ZnO半导体透明陶瓷，其透过率为30～67 ％、载流子浓度为1.0×1012-18cm-3、电阻率为1×100.1-2Ω.cm、迁移率为 0.01～26cm2.V-1.S-1。本发明方法所获得的n型ZnO多晶体半导体透明陶瓷结晶质量好、制备重复性好、适于工业化生产，为光电器件制造技术领域提供了特别适用的优质新材料。 |
发布日期：2008-11-24 09:30:00