| 专利名称： | 一种金属/陶瓷激光烧结制件的后处理方法 |
| 公开（告）号： | CN100432025 |
| 公开（公告）日： | 2008-11-12 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610125222.1 |
| 申请日： | 2006-12-01 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 华中科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 史玉升;黄树槐;刘锦辉;张 晶 |
| 内容： | 摘要 本发明公开了一种金属/陶瓷激光烧结制件的后处理方法。先对待处理的金属/陶瓷激光烧结制件进行脱脂处理和高温烧结；再将高温烧结后的制件附上包套，再放入冷等静压炉，进行加压处理；附包套的方法为：将制件浸入硅橡胶溶液中，在表面均匀附着一层液体后，进行加热烘干处理，使液体在制件表面形成封闭的保护膜；最后对近净成形得到的零件进行后续加工，使零件几何尺寸和形状符合要求。本发明将快速成形技术中的选择性激光烧结(SLS)技术与冷等静压(CIP)技术结合起来，可以成形复杂形状结构、高性能的制件。采用SLS技术，可以成形复杂形状结构的制件，特别是具有复杂的曲面和内部有孔的制件。 |
发布日期：2008-12-02 15:10:00