| 专利名称： | 铋离子替代改性的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101311139 |
| 公开（公告）日： | 2008-11-26 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710017913.4 |
| 申请日： | 2007-05-24 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西北工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 杜红亮;刘代军;周万城;罗 发;朱冬梅;苏晓磊;王晓燕 |
| 内容： | 本发明是一种采用铋离子替代改性的铌酸钾钠基无铅压电陶瓷及其制备方法，其原材料包括无水碳酸钾、无水碳酸钠、五氧化二铌，三氧化二铋，其化学计量比为[(K0.5Na0.5)1-3xBix]NbO3(0.0≤x≤0.05)，其中0.0≤x≤0.05，通过添加铋离子，使铋离子替换(K0.5Na0.5)NbO3陶瓷中的A位离子，以增强铌酸钾钠陶瓷的烧结特性和铁电性能，进而提高其压电性能。在制备时，根据电价平衡的原理，添加铋离子的同时减少K离子和Na离子，并且产生了A位空位，避免了残留物的形成，使其压电性能d33和kp分别达到164pC/N和47％，并且具有原材料来源广，工艺稳定性好，无环境污染的特点。 |
发布日期：2008-12-15 14:54:00