| 专利名称： | 临界负温度系数热敏电阻陶瓷材料及其合成方法 |
| 公开（告）号： | CN100434389 |
| 公开（公告）日： | 2008-11-19 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710017712.4 |
| 申请日： | 2007-04-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 高积强;梁 森;杨建锋;罗 明;杨 武;柯高潮 |
| 内容： | 本发明为了解决现有临界温度热敏陶瓷所存在的临界温度低的问题，公开了一种适于高温范围应用的临界负温度系数热敏电阻陶瓷材料：按质量百分数，包括下述组分：Ni2O3 5～20％，Cr2O3 5～35％，Fe2O3 5～35％，In2O3 5～15％，CuO 0～20％，Al2O3 0～20％。其主要制备工艺为：按上述组成称量混合，经湿法球磨、干燥、过筛，然后在900～1200℃煅烧合成，保温1～4小时，最后将出炉料再干法球磨、过筛，即制得本发明的临界负温度系数热敏陶瓷粉料。该陶瓷材料的临界温度可提高至150～500℃，可用于制造火警检测与保护的测温元件，作为高温环境的监测、控制与报警。 |
发布日期：2008-12-09 09:28:00