| 专利名称： | 铋基钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料及其制备 |
| 公开（告）号： | CN101318815 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200810018345.4 |
| 申请日： | 2008-05-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 汪 宏;周 迪;姚 熹;庞利霞 |
| 内容： | 本发明公开了一种铋基钼基超低温烧结微波介质陶瓷材料。从 Bi2O3-MoO3二元体系的相图出发，以单相化合物为基础，通过调节二元体系配比，等价和不等价离子取代的方式得到了一系列微波介电性能优良的(介电常数10～45，品质因数Qf4000GHz到25000GHz)，可在较低温度下550℃ 和900℃之间烧结成瓷的微波介质材料。其结构表达式为： (1-x)[(Bi1-yAy)2O3]-x[(Mo1-zBz)O3]，其中A＝La3+，Nd3+，Sm3+，B＝W6+，Nb5+，Ta5+， Sb5+，Ti4+，Zr4+，Sn4+，0.01≤x≤1，0≤y≤0.20，0≤z≤0.20。 |
发布日期：2008-12-31 16:16:00