| 专利名称： | 一种含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101318821 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | 200710192460.9 |
| 申请日： | 2007-11-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| (申请)专利权（人）： | 谢征芳;曹淑伟;王 军;王 浩;薛金根;牛加新 |
| 内容： | 一种含铪的SiC陶瓷先驱体的制备方法，该方法包括以下步骤：(1)将主链含硅的低分子量聚合物置于三口烧瓶中，加入相当于低分子量聚合物质量 0.5wt％-20wt％的铪金属有机化合物或氯化物；(2)在Ar或N2或它们的混合物保护下，按照0.1-5℃/min升温速率，三口烧瓶升至350-500℃，裂解柱温度控制在450-550℃，进行热分解重排反应，反应时间0.5-30h，冷却后得PHCS粗产品；(3)将该粗产品经二甲苯溶解、过滤，滤液在300-390℃进行减压蒸馏，冷却。本发明原料来源广泛，反应过程易于控制，设备简单，产物纯度高，再成型性好，耐超高温性能优异；容易实现大规模工业化生产；用以制得的陶瓷纤维抗氧化性能优异。 |
发布日期：2008-12-31 16:28:00