| 专利名称： | 扩散连接三元层状陶瓷铝碳化钛工艺 |
| 公开（告）号： | CN100439291 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610047487.4 |
| 申请日： | 2006-08-18 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李美栓;尹孝辉;周延春 |
| 内容： | 本发明涉及陶瓷连接技术，具体为一种三元层状陶瓷Ti3AlC2扩散连接工艺。该工艺的特点是界面生成耐高温的Ti3Al(Si)C2固溶体，无脆性相生成，解决了三元层状陶瓷Ti3AlC2连接质量不高的技术问题。在待焊三元层状陶瓷Ti3AlC2表面溅射单质Si，其厚度在4-10μm之间，组成Ti3AlC2/Si/Ti3AlC2三明治结构。将试件置于热压炉内，在氩气保护下扩散连接。工艺条件如下：焊接温度为1300-1400 ℃、焊接压力为2-5MPa、焊接时间120-240min。利用本发明提供的方法得到的扩散焊接接头，界面没有新的反应相生成，避免新的脆性相对接头强度的影响，接头弯曲强度可达到Ti3AlC2陶瓷强度的80％，而且此强度可保持到1000℃，可以满足实际应用的需要，从而扩大了Ti3AlC2陶瓷的应用范围。 |
发布日期：2009-01-04 09:35:00