| 专利名称： | 陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件 |
| 公开（告）号： | CN201174556 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-31 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200820028674.2 |
| 申请日： | 2008-03-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院近代物理研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 张小奇;张军辉;马力祯;韩少斐 |
| 内容： | 本实用新型主要涉及电真空领域，在真空情况下的电功率馈人器件。所述的陶瓷- 金属封接的高压真空穿墙件，包括有内导体(7)，其两端为电缆接线端，外部设有内陶瓷绝缘套(6)，其主要特点在于：在内陶瓷绝缘套(6)的外部设有相固连的外导体大环(4) 和外导体小环(5)，在外导体大环(4)与接地导体(2)之间设有外陶瓷绝缘环(3)，真空法兰(1)设于接地导体(2)的外环，并与之相连接。本实用新型的有益效果是：其耐压性能增强，整个陶瓷-金属封接的高压真空穿墙件的真空漏率好于1×10-10Pa·l/s；电感值实测为0.08μH；大截面的导体结构可以承载数千安培的电流。 |
发布日期：2009-01-04 10:39:00