| 专利名称： | 一种耐高温耐高压陶瓷应变片传感器及其封装固化方法 |
| 公开（告）号： | CN100442024 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-10 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610105246.0 |
| 申请日： | 2006-12-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安森舍电子科技有限责任公司 |
| (申请)专利权（人）： | 邓军安;赵宏斌;张超峰 |
| 内容： | 本发明公开了耐高温耐高压陶瓷应变片传感器及其封装固化方法，传感器壳体内连接应变片，应变片一端连接应变片正电极引线，另一端连接应变片负电极引线，传感器壳体前端内连接应变片固定座，应变片固定座内前端连接应变片，应变片一侧灌封前端灌封膜，应变片另一侧灌封后端灌封膜，后端灌封膜中还连接铜环，负电极引线另一端与铜环连接。封装固化方法：包括溶剂油清洗；焊电极引线；恒温预热；灌封；恒温加热；磨平；测试电容值。具有结构简单，使用方便，使用寿命长，封装工艺简单的特点，提高信号接收幅度及重复性；耐温耐压性达到150℃、60MPa；使用寿命为无限，达到免维护；适用于变形信号测量的场所及井下超声流量计等。 |
发布日期：2009-01-07 09:08:00