| 专利名称： | 一种Ta2AlC纳米层状块体陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100443442 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610046805.5 |
| 申请日： | 2006-06-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周延春;胡春峰;包亦望 |
| 内容： | 本发明涉及一种原位反应热压制备Ta2AlC纳米层状块体陶瓷及其制备方法。所述Ta2AlC纳米层状陶瓷属六方晶系，空间群为P63/mmc，单胞晶格常数a为 3.08，c为13.85，理论密度为11.52g/cm3。其晶体结构中Al和Ta以较弱的共价键相结合，使Ta2AlC在变形时易沿[0001]方向在此处产生剪切变形，表现一定的显微塑性。它是优良的热电导体，易加工和对热震不敏感，是潜在的高温结构与功能材料。单相Ta2AlC具体制备方法是：首先，以钽粉、铝粉、石墨粉为原料，干燥条件下在树脂罐中球磨10～20小时，过筛后装入石墨模具中冷压成型 (10～20MPa)，在真空或通有氩气的热压炉内烧结，升温速率为10～15℃/分钟，在1500～1700℃烧结，保温时间为20～120分钟，施加压力为20～40MPa。本发明制备的Ta2AlC陶瓷具有致密度高、纯度高的特点。 |
发布日期：2009-01-07 09:39:00