| 专利名称： | 高介电Y5V型三稀土掺杂钛酸钡陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101328061 |
| 公开（公告）日： | 2008-12-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810051055.X |
| 申请日： | 2008-07-30 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 吉林化工学院 |
| (申请)专利权（人）： | 路大勇;孙秀云 |
| 内容： | 本发明公开一种高介电Y5V型三稀土掺杂钛酸钡陶瓷材料及其制备方法，其材料具有由化学式ABO3表示的立方钙钛矿结构，含有BaTiO3和三种稀土元素添加剂的立方结晶相，其中含有BaTiO3成份≥94mol％，三种稀土元素Re作为A位和B位添加剂；其含量≤5mol％，制备步骤有配料、混料、研磨、烘干，经预烧后，将烧结物粉碎后细磨、烘干、加胶研磨、成型压片、烧结、抛光，此陶瓷材料，在室温介电率大于10000，性能优良，这是在只用稀土掺杂的钛酸钡陶瓷在高介电Y5V电容器材料技术领域的突破和实现，是从材料的微观晶体结构和缺陷化学设计上的一次理论突破，这种突破在提高材料的宏观介电性能方面有着重要价值，稀土用量低，利用率显著提高。 |
发布日期：2009-01-09 09:56:00