| 专利名称： | 高压电性能多元系少铅压电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101337813 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-07 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810022558.4 |
| 申请日： | 2008-08-15 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 合肥学院 |
| (申请)专利权（人）： | 尹奇异;丁 明;张凌云;田长安;李少波;赵娣芳 |
| 内容： | 本发明公开了高压电性能多元系少铅压电陶瓷及其制备方法，其特征在于由通式(1-x)[(K0.5Na0.5)(1-y)Liy]NbO3-xPb(Zr(1-z)Tiz)O3表示的材料构成，其中x、y表示复合离子中相应元素材料在各组元中所占的原子数，即原子百分比，0＜x＜1， 0≤y＜1，0＜z≤1；所述压电陶瓷的晶体构型为钙钛矿结构。本发明提供的钙钛矿型结构压电陶瓷，其各项性能均优于无铅压电陶瓷，且又能和传统的PZT基压电陶瓷的性能媲美，完全可以满足传感器、谐振器、滤波器等电子元器件的要求。因此，可以取代铅基压电陶瓷，逐步改善环境。 |
发布日期：2009-01-12 09:31:00