| 专利名称： | 低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101337814 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-07 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810150742.7 |
| 申请日： | 2008-08-28 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 陕西师范大学 |
| (申请)专利权（人）： | 杨祖培;晁小练 |
| 内容： | 一种低温烧结锑酸锂掺杂的五元系压电陶瓷材料，用下述通式 0.02Pb(Mg1/2W1/2)O3-yPb(Sb1/2Nb1/2)]O3-(0.39-y)Pb(Ni1/3Nb2/3)O3-Pb0.59(Zr0.38Ti0.21)O3+x LiSbO3表示的材料组成，式中0.00wt.％＜x≤0.40wt.％，0.000≤y≤0.030mol。其制备方法包括制备锑酸锂、配料合成、预烧、造粒、压片、排胶、烧结、烧银、极化工艺步骤。本发明经实验室研究结果表明，所制备的五元系压电陶瓷材料，压电常数高、平面机电耦合系数高、低温烧结性能好，与文献报道的同类压电陶瓷材料相比，机械品质因数Qm和介电损耗tanδ明显降低，压电常数d33和平面机电耦合系数Kp明显提高，并且烧结温度明显从1200℃降到900℃，制备工艺简单，重复性好，成品率高，成本低。 |
发布日期：2009-01-12 09:32:00