| 专利名称： | 镁橄榄石粉末的制造方法、镁橄榄石粉末、镁橄榄石烧结体、绝缘体陶瓷组合物以及层叠陶瓷电子器件 |
| 公开（告）号： | CN101346310 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200680049222.6 |
| 申请日： | 2006-11-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 守屋要一;森直哉 |
| 内容： | 本发明提供一种可以以较低温烧结、可以制造经济上有利的特性良好的镁橄榄石粉末的镁橄榄石粉末的制造方法。混合镁源、硅源和Cu粒子，制作以300～2000wtppm的范围含有Cu粒子的混合粉末，烧成该混合粉末。作为镁源，使用Mg(OH)2，作为硅源，使用SiO2。成为结晶结构为多结晶的镁橄榄石粉末。在溶剂的存在下混合镁源、硅源和Cu粒子，配制混合粉末。另外，以300～2000wtppm的比例含有Cu。粒径成为0.20～ 0.40μm的范围。另外，构成镁橄榄石的结晶直径成为0.034～0.040μm。 |
发布日期：2009-01-16 14:34:00