| 专利名称： | 半导体陶瓷、层叠型半导体陶瓷电容器、半导体陶瓷的制造方法、层叠型的半导体陶瓷电容器的制造方法 |
| 公开（告）号： | CN101346325 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-14 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780000966.3 |
| 申请日： | 2007-05-28 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 川本光俊 |
| 内容： | 本发明提供一种半导体陶瓷，施主元素相对于Ti元素100摩尔，在 0.8～2.0摩尔的范围中固溶在晶粒中，受主元素以比所述施主元素更少的量固溶在晶粒中，受主元素以相对于Ti元素100摩尔，在0.3～1.0摩尔的范围中存在于晶界中，晶粒的平均粒径为1.0μm以下。使用该半导体陶瓷，取得层叠型半导体陶瓷电容器。这时，在进行还原煅烧的一次煅烧处理中，把冷却开始时的氧分压设定为煅烧过程的氧分压的1.0×104倍以上，进行冷却处理。据此，实现即使晶粒的平均粒径微粒化到1.0μm以下，也具有5000以上的表观相对介电常数εrAPP和10以上的比电阻log ρ(ρ：Ω·cm)的SrTiO3类晶界绝缘型的半导体陶瓷和使用它的层叠型半导体陶瓷电容器、它们的制造方法。 |
发布日期：2009-01-16 14:36:00