| 专利名称： | 一种连续绕卷式磁控溅射法制造的陶瓷高阻隔膜装置 |
| 公开（告）号： | CN101353783 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-28 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810064558.0 |
| 申请日： | 2008-05-23 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨商业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 孙智慧;林 晶;刘 壮;高 德 |
| 内容： | 本发明提供了一种连续绕卷式磁控溅射法制造的陶瓷高阻隔膜装置。它包括沉积室、放卷装置、收卷装置、射频交流电源以及设置在沉积室外部的蝶阀、机械泵、罗茨泵和分子泵，沉积室中间装有镀膜辊，下部装有长方形硅靶，沉积室的两端设有封头，在沉积室上至少设有一个观察窗，所述的沉积室的下部通过蝶阀和管道分别连接有机械泵、罗茨泵和分子泵。本发明的特点在于能连续生产，能较好的解决钟罩式或立式沉积装置不能连续生产、生产能力低下、每次都要重新抽真空的问题，利用长方形极靶可充分利用沉积室空间，便于大规模产业化生产。 |
发布日期：2009-02-08 15:24:00