| 专利名称： | 一种电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100457683 |
| 公开（公告）日： | 2009-02-04 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510047688.X |
| 申请日： | 2005-11-11 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 张劲松;曹小明;田 冲;杨振明;刘 强 |
| 内容： | 摘要 本发明涉及导电泡沫陶瓷的制备技术，具体地说是电阻率可控的导电碳化硅泡沫陶瓷材料及其制备方法，其中所述碳化硅泡沫陶瓷以多边型封闭环为基本单元，各基本单元相互连接形成三维连通网络；构成多边形封闭环单元的陶瓷筋的相对致密度≥99％；按重量分数计，其成份由80％～96％的碳化硅、10％～2％金属相和10％～2％的硅组成；电阻率的变化范围为：5 Ω.cm-0.01Ω.cm。 |
发布日期：2009-02-10 10:32:00