| 专利名称： | 一种采用小错位内部电极的片式多层陶瓷电容器及其方法 |
| 公开（告）号： | CN101364480 |
| 公开（公告）日： | 2009-02-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810216179.9 |
| 申请日： | 2008-09-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 深圳市宇阳科技发展有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 初殿生 |
| 内容： | 本发明公开了一种采用小错位内部电极的片式多层陶瓷电容器及其方法，其装置包括依次相邻设置的多个介质层，所述介质层之间设置为电极层；其中，每层电极设置为至少两段，每段之间设置为预定间距，并且相邻电极层的预定间距交错设置。本发明采用小错位内部电极的片式多层陶瓷电容器及其方法由于采用了对片式电容各层介质之间的小错位设置方式，实现了对所生产的片式电容容量的连续调整，方便了对片式电容的生产，提高了小容量片式电容的应用范围；同时提高了端电极的结合强度。 |
发布日期：2009-02-20 16:26:00