| 专利名称： | 电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101348381 |
| 公开（公告）日： | 2009-01-21 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810150880.5 |
| 申请日： | 2008-09-09 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李盛涛;张 拓;李建英;焦兴六;倪凤燕;李巍巍;张云霞 |
| 内容： | 本发明为了提高真空中绝缘介质沿面闪络电压，公开了一种电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷复合绝缘结构及制备方法，其特征在于，在氧化铝陶瓷基体两端面通过绝缘粘接层平面联接有电压敏陶瓷片，所述复合绝缘结构的制备方法包括下述步骤：(1)将电压敏陶瓷与氧化铝陶瓷分别打磨平整；(2)粘接电压敏陶瓷+氧化铝陶瓷+电压敏陶瓷；低温粘接可使用环氧、硅橡胶等；高温粘接可使用低温玻璃；(3)加热固化。得到变介电常数或电阻率的绝缘结构。由于电压敏陶瓷具有非线性的V-I特性，使得在高电压下，真空-电极- 绝缘子三结合区的场强得到大幅度的减弱，从而抑制了初始电子发射。本发明公开的这种绝缘结构可以显著的改善真空沿面闪络性能。 |
发布日期：2009-02-08 15:03:00