| 专利名称： | 亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101367653 |
| 公开（公告）日： | 2009-02-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810197040.4 |
| 申请日： | 2008-09-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉工程大学 |
| (申请)专利权（人）： | 谷云乐;王吉林 |
| 内容： | 本发明涉及亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末的制备方法，其不同之处在于以Si- Mg前驱体与叠氮钠进行加热密封反应，控制参与反应的Si∶Mg∶NaN3＝1∶1-2.75∶1-3.25，加热温度为450-600℃，反应时间为4-12小时，产物通过洗涤和干燥，即可得到颗粒状无规则的亚微米级斜方氮化硅镁多晶体陶瓷粉末。本发明与现有技术相比具有以下优点：1)氮化硅镁的合成路线与亚微米的多晶体生长同时进行，实现了温和的反应条件，制备过程也比较简单，特别是制备温度有很大程度的降低，从而能耗也大大减少；2)产物MgSiN2陶瓷粉形貌不规则、粒度达到亚微米级别、分布比较均匀，结晶程度好，纯度高，尺寸均匀。 |
发布日期：2009-02-20 16:50:00