| 专利名称： | 金属膜及其制备方法以及层压陶瓷电子元件的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100463084 |
| 公开（公告）日： | 2009-02-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN02122752.7 |
| 申请日： | 2002-06-10 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 株式会社村田制作所 |
| (申请)专利权（人）： | 穐吉哲平 |
| 内容： | 本发明涉及一种金属膜的制备方法。该金属膜用于形成层压陶瓷电子元件的内导电膜，具有优异的从支持元件上的脱模性，其上不容易出现缺陷，例如与支持元件的剥离和裂纹。第一金属膜是利用真空薄膜成形设备在支持元件上形成由无电镀催化剂物质制成的。然后利用第一金属膜作催化剂进行无电镀的同时，通过由金属形成膜而制成第二金属膜。第一金属膜成形步骤在第一金属膜生长为均匀连续膜之前完成。其中第一金属膜在1×105nm2的任何区域内都是岛屿结构或网络结构。 |
发布日期：2009-02-20 16:13:00