| 专利名称： | 新型红外导电陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN201204068 |
| 公开（公告）日： | 2009-03-04 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200820019189.9 |
| 申请日： | 2008-03-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 山东理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 刘俊成;郑 昕;白佳海 |
| 内容： | 本实用新型提供一种新型红外导电陶瓷，为上、中、下层状复合结构，其中上、下两层为绝缘层，中间为导电层，其特征在于：绝缘层和导电层成型原料不同，绝缘层材料为非导电的陶瓷原料，三层压合成型烧结为一体。本实用新型材料表面致密、绝缘强度高，抗折强度高，有效地解决了导电陶瓷电阻率不均匀、易吸潮、高温迅速老化等问题。 |
发布日期：2009-03-07 09:27:00