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| 专利名称： | 管件表面陶瓷化处理工艺 |
| 公开（告）号： | CN100465355 |
| 公开（公告）日： | 2009-03-04 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510070871.1 |
| 申请日： | 2005-05-20 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院物理研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 杨思泽;顾伟超 |
| 内容： | 本发明公开了一种管件表面陶瓷化处理工艺，该管件为非阀金属材料管件或非金属管件，该工艺包括以下步骤：(一)采用复合成膜方法在管件内外表面制备厚度为50-150μm的阀金属层；(二)将电极棒固定于该内外表面制备有阀金属层的管件内腔，将该电极棒连接脉冲直流电源的负极，该管件连接该电源的正极，并将该管件浸入处理槽中的碱性处理液中，保持恒定电流密度值，处理适当时间。该工艺对不能直接采用微等离子体氧化技术的金属材料或者非金属材料管件，可先采用复合成膜技术在管件表面得到阀金属层，再采用微等离子体氧化技术制备陶瓷层，成功解决了非阀金属材料及非金属材料管件表面的陶瓷化难题，并且解决了管件内表面的陶瓷化处理问题。
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发布日期：2009-03-07 09:45:00