| 专利名称： | 氮化铝/硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100469730 |
| 公开（公告）日： | 2009-03-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710118465.7 |
| 申请日： | 2007-07-06 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 清华大学 |
| (申请)专利权（人）： | 赵宏生;高廿子 |
| 内容： | 一种氮化铝/硼硅酸盐玻璃低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法，属于电子基板复合材料领域。陶瓷基板材料的质量百分比的配方组成为： AlN：30～70％，SiO2-B2O3-ZnO-Al2O3-Li2O玻璃：30～70％，其中 SiO2-B2O3-ZnO-Al2O3-Li2O玻璃，其摩尔百分比的氧化物配方组成为： SiO2：8～12％，B2O3：18～24％，ZnO：45～60％，Al2O3：3～8％， Li2O：3～8％。优点在于，具有良好的综合性能，将热导率从目前平均水平的2～5W/m·K提高到10W/m·K以上，可以在更大功率器件、更高密度封装中使用，同时具有较好的介电性能和热膨胀系数；原材料价格低，工艺条件简单，降低了产品的成本。 |
发布日期：2009-03-18 22:36:00