| 专利名称： | 低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101381230 |
| 公开（公告）日： | 2009-03-11 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810121476.5 |
| 申请日： | 2008-10-14 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 浙江大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张启龙;杨 辉;孙慧萍 |
| 内容： | 本发明公开了一种低温烧结高介电常数微波介质陶瓷材料，其原料组成为[(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]+a(H3BO3-CuO)+b Li2CO3，其中0≤x≤0.7，0≤y≤0.1，0＜a≤15％，0≤b≤5％，a、b为占 [(1-x)(Ca0.61Nd0.26)(Ti1-ySny)O3+x(Li1/2Nd1/2)TiO3]的重量分数。本发明还公开了该陶瓷材料的制备方法，通过掺加少量低熔点烧结助剂，使陶瓷材料的烧结温度降至850～1100℃，同时保持良好优异的微波介电性能，满足与低成本 Ag电极共烧的要求，用于制备多层介质谐振器、微波天线、滤波器等微波器件，可极大地降低微波器件的制备成本。 |
发布日期：2009-03-19 01:31:00