| 专利名称： | 半导体陶瓷组分 |
| 公开（告）号： | CN101389581 |
| 公开（公告）日： | 2009-03-18 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780006968.3 |
| 申请日： | 2007-02-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 日立金属株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 岛田武司;田路和也 |
| 内容： | 本发明的目的是提供一种不包含Pb的半导体陶瓷组分，其能够将居里温度改变到正向，并且控制常温电阻率，以及具有优异的跳跃特性。由于其中BaTiO3的部分Ba被Bi-Na替代的半导体陶瓷组分具有其中晶粒的中心部分和外壳部分的组分彼此不同的晶体，因此该组分能够增强室温电阻率和跳跃特性的控制，因此它是用于PTC热敏电阻、 PTC加热器、PTC开关、温度检测器等的最佳材料。 |
发布日期：2009-03-19 19:54:00