| 专利名称： | 一种新型锡酸钡基导电陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101402522 |
| 公开（公告）日： | 2009-04-08 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810073871.0 |
| 申请日： | 2008-10-31 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 桂林电子科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 刘心宇;杨华斌;黄 晋;袁昌来 |
| 内容： | 本发明公开了一种新型锡酸钡基导电陶瓷材料及其制备方法，它是在易于半导体化的 BaSnO3中添加锑的氧化物，实现施主掺杂，采用传统陶瓷制备工艺，形成导电陶瓷，其成分可以用通式BaSbxSn1-xO3来表示，其中0＜x≤0.2。这种陶瓷材料成本低、导电性好、化学性能稳定、电阻率稳定、耐高温。常温电阻率可达1.0Ω·cm以下。而且制备工艺简单、稳定、实用性强。 |
发布日期：2009-05-31 21:42:00