| 专利名称： | 高居里点无铅PTC热敏陶瓷电阻材料 |
| 公开（告）号： | CN101412625 |
| 公开（公告）日： | 2009-04-22 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810143548.6 |
| 申请日： | 2008-11-10 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中南大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李志成;张 鸿;闻俊涛;郑 阳;郜长福 |
| 内容： | 本发明涉及一种高居里点无铅PTC热敏陶瓷电阻材料，该热敏电阻材料主成分组成为(Bi1/2K1/2)Ti1-x-wCexDyO3，其中x＝0.2～0.5，y＝0.001～0.004， w＝-0.02～0.02；D为半导化元素，如含有Sb、Nb、Ta、V元素中至少一种元素组成；配方中可外加少量添加剂成分，如含B、Si、Al、Mn等元素中至少一种金属元素的氧化物、无机盐或有机盐等化合物。本发明的高居里点PTC热敏陶瓷材料中不含铅，避免了电阻元器件制造和使用过程中铅对环境与人体的危害。解决了高居里点无铅PTC热敏陶瓷电阻材料半导化的技术难题、并能通过调节主成分组成实现不同居里温度点的PTC热敏陶瓷电阻材料。 |
发布日期：2009-06-05 22:03:00