| 专利名称： | 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101417880 |
| 公开（公告）日： | 2009-04-29 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810137597.9 |
| 申请日： | 2008-11-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 哈尔滨工业大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张幸红;韩杰才;孟松鹤;徐 林;韩文波;胡 平 |
| 内容： | 低温烧结硼化物基陶瓷材料及其制备方法，它涉及一种硼化物基陶瓷材料及其制备方法。本发明解决了现有技术中硼化物基陶瓷材料烧结温度及压力过高、烧结致密度低的问题。本发明硼化物基陶瓷材料由硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂制成；添加剂为氧化铝与氧化钇混合粉末。本发明的方法如下：一、将硼化物粉末、碳化硅粉末和添加剂混合；二、再放入无水乙醇中进行超声波清洗分散，球磨混合，烘干；三、热压烧结后冷却即可。本发明在1800～1850℃、 30MPa下烧结所获得低温烧结硼化物基陶瓷材料的组织均匀、致密，且晶粒度细小，同时力学性能优良，相对密度为96％以上，强度和韧性分别高达 786MPa和7.12MPam1/2。本发明方法的工艺简单实用，成本低廉、易于推广。 |
发布日期：2009-06-09 23:52:00