| 专利名称： | 一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101429009 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-13 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810163153.2 |
| 申请日： | 2008-12-18 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 杭州电子科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 宋开新;郑 梁;秦会斌 |
| 内容： | 本发明公开了一种低介电常数高品质微波介质陶瓷及其制备方法，该低介电常数高品质微波介质陶瓷的化学成分组成式为Mg2(Si，Al)O4，它由MgO、SiO2 和Al2O3组成，其中，MgO、SiO2和Al2O3的摩尔百分比为：MgO∶SiO2∶Al2O3＝60～ 70∶15～35∶0～15。利用本发明提供低介电常数高品质微波介质陶瓷可做为电子线路基板、谐振器、滤波器、微波基板与微带线的核心材料使用，可以在电子线路、微波通信，卫星通信与雷达系统上具有重要应用前景和经济效益。 |
发布日期：2009-06-12 22:23:00