| 专利名称： | 一种Mg2SiO4低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101429015 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-13 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810163154.7 |
| 申请日： | 2008-12-18 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 杭州电子科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 宋开新;陈湘明 |
| 内容： | 本发明公开了一种Mg2SiO4低介电常数微波介质陶瓷及其制备方法；本发明通过控制Mg/Si的非化学计量比，获得了单一相高纯的Mg2SiO4陶瓷。该方法解决了已往按化学式2MgO·SiO2摩尔配比，烧结后陶瓷容易出现第二相的缺陷。按本发明方法获得Mg2SiO4陶瓷具有低的介电常数6～8，介电损耗小于10-5，Qf在 160,000GHz以上。利用本发明提供的低介电常数高品质微波介质陶瓷作为电子线路基板、介质谐振器、滤波器、微波基板与微带线的制造材料使用，可以在电子线路、微波移动通信，卫星通信、雷达系统领域上具有重要应用前景和巨大经济价值。 |
发布日期：2009-06-12 22:30:00