| 专利名称： | 较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101429025 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-13 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810153569.6 |
| 申请日： | 2008-11-27 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 天津大学 |
| (申请)专利权（人）： | 李玲霞;曹丽凤;张 平;王洪茹;张志萍 |
| 内容： | 本发明公开了一种较低温度烧结的高介低损耗介质陶瓷，原料组分及其质量百分比含量为：Ag2O 40～45％、Nb2O5 35～46％、Ta2O5 9～25％，外加添加剂CaF2 3～7％、B2O3 2.5～8％。经配料、球磨、烘干、煅烧后合成(Nb，Ta)2O5前驱体，再经二次配料，球磨、烘干，煅烧后合成熔块Ag(Nb，Ta)O3，再于熔块中外加添加剂，球磨、烘干后制得高介低损耗介质陶瓷粉料，对陶瓷粉料造粒后压制成坯，经烧结制得高介低损耗介质陶瓷。本发明的Ag(Nb，Ta)O3陶瓷的烧结温度较低(950～1000℃)，介电常数超高(ε＞900)，同时其介电损耗较低(tanδ＜10×10-4)。 |
发布日期：2009-06-12 22:37:00