| 专利名称： | 一种含锆聚碳硅烷陶瓷先驱体的制备方法及装置 |
| 公开（告）号： | CN100486930 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-13 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710034593.3 |
| 申请日： | 2007-03-21 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国人民解放军国防科学技术大学 |
| (申请)专利权（人）： | 谢征芳;曹淑伟;王 军;王 浩 |
| 内容： | 本发明公开了一种含锆聚碳硅烷陶瓷先驱体的制备方法及装置，其制备方法是以主链含硅的低分子量聚合物如聚硅碳硅烷，聚硅烷、聚碳硅烷、聚二甲基硅烷等含Si-H键的有机化合物为原料，锆的有机金属化合物为反应添加剂，以Ar、N2或其混合物为保护气氛，利用常压高温裂解法制备含异质元素锆的SiC 陶瓷先驱体PZCS。本发明之常压高温裂解装置包括依次连通置于加热器中的反应器三口烧瓶，置于电热套中的裂解柱，冷凝管与分液漏斗及真空系统接口等。本发明原料化合物多样，锆的含量及其性能指标可控可调，在先驱体及其陶瓷中可达分子级别匀化，反应过程易于控制，工艺设备简单，产物纯度高，再成型性良好，耐超高温性能优异；容易实现大规模工业化生产。 |
发布日期：2009-06-12 20:49:00