| 专利名称： | 一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101423396 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-06 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710157907.9 |
| 申请日： | 2007-11-02 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院金属研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 周延春;童庆丰;陈继新 |
| 内容： | 本发明涉及耐高温、抗氧化介电陶瓷的制备技术，特别提供了一种耐高温、抗氧化硅氮氧陶瓷的低温制备方法，解决现有技术中制备硅氮氧陶瓷材料时，存在的温度相对较高、反应时间长等问题。采用一定化学计量比的氮化硅和二氧化硅为原料，以碳酸锂为烧结助剂，原料经过研磨10-30小时，装入石墨模具中冷压成型，在通有氮气作为保护气氛的热压炉中烧结，烧结温度为1400-1600℃、烧结时间为0.1-1小时。本发明可以在较低温度、短时间内合成高纯度、抗氧化、室温强度和高温强度高、介电常数低和介电损耗小的致密硅氮氧陶瓷块体。采用本发明方法获得的硅氮氧陶瓷，可作为抗氧化高温结构材料和功能材料，具有潜在的应用价值。 |
发布日期：2009-06-12 21:45:00