| 专利名称： | 含立方氮化硅粉体的陶瓷及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100488916 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-20 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710048600.5 |
| 申请日： | 2007-03-09 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西南科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 唐敬友;寇自力;贺红亮;刘雨生 |
| 内容： | 一种含立方氮化硅粉体的陶瓷，其特征是该陶瓷的重量百分组成为： γ-Si3N45％～100％，Al2O3、ZrO2、α或β相Si3N4、SiC、BN、AlN中至少一种0～95％，以及烧结助剂Y2O3、Al2O3、La2O中至少一种0～10％。该陶瓷的制备方法包括：配料研磨、干燥、冷等静压造粒、干压成型、烧结腔体的装配、超高压烧结等步骤。本发明提供的制备方法简单、实用，易于操作，烧结温度低，烧结时间及生产周期短，成本低；陶瓷烧结体的致密度高、显微结构均匀、力学性能优异，可以用于机械、化工、航空航天、光电子等技术领域。 |
发布日期：2009-06-16 04:52:00