| 专利名称： | 二氧化锡电极陶瓷材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101439966 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810237418.9 |
| 申请日： | 2008-12-26 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张联盟;罗国强;张东明;沈 强;王传彬;李俊国 |
| 内容： | 本发明涉及一种SnO2电极陶瓷的制备方法。二氧化锡电极陶瓷材料的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：按烧结助剂的质量为SnO2粉体质量的0.5-1.0％，其中，烧结助剂为MnO2粉体和CuO粉体；按Sb2O3粉体的质量为SnO2粉体质量的0.1-1.0％，选取粉体原料；2)造粒：将粉体原料、有机溶剂和混料球放入球磨罐，在行星球磨机中进行混合；将混合均匀的浆体倒入容器中，放入烘箱中进行低温烘烤直至有机溶剂挥发完毕，然后研磨、过开口筛，获得混合粉末；3)冷等静压成型：将混合粉末放入模具中，由冷等静压机成型，得坯体；4)无压烧结：将坯体放入烧结炉中烧结，得二氧化锡电极陶瓷材料。本发明获得 SnO2电极陶瓷具有掺杂量少、致密度高、常温电导率好、抗玻璃液的侵蚀能力强等优点。 |
发布日期：2009-06-16 21:31:00