| 专利名称： | 一种高致密二氧化锡陶瓷的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101439967 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810237419.3 |
| 申请日： | 2008-12-26 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 武汉理工大学 |
| (申请)专利权（人）： | 张联盟;罗国强;沈 强;张东明;李俊国;王传彬 |
| 内容： | 本发明涉及一种SnO2陶瓷的制备方法。一种高致密二氧化锡陶瓷的制备方法，其特征在于它包括如下步骤：1)配料：按烧结助剂的质量为SnO2粉体质量的0.5～5.0％，选取烧结助剂和SnO2粉体，其中，烧结助剂为MnO2粉体和CuO粉体；2)球磨混料：将SnO2粉体、CuO 粉体、MnO2粉体、有机溶剂和混料球放入球磨罐，在行星球磨机中进行混合，得浆体；3) 烘干：将浆体倒入玻璃容器中，放入烘箱中进行低温烘烤直至溶剂挥发完毕，研磨后过开口筛，获得混合粉末；4)冷静压成型：冷等静压机中成型，得坯体；5)无压烧结：获得的坯体放入烧结炉中烧结，得到高致密二氧化锡陶瓷。本发明制备的二氧化锡陶瓷具有致密度高的特点。用于抗氧化、耐高温和耐酸碱等的苛刻环境防护材料。 |
发布日期：2009-06-16 21:33:00