| 专利名称： | 陶瓷多层基板的制造方法 |
| 公开（告）号： | CN101442883 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810178111.6 |
| 申请日： | 2008-11-19 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 精工爱普生株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 小林敏之 |
| 内容： | 本发明提供可以准确且容易地制作陶瓷多层基板的陶瓷多层基板的制造方法及陶瓷多层基板的集合基板。形成在多块未烧成的陶瓷生片13的层间具有未烧成的导体图案14，包含多个形成陶瓷多层基板10a、10b、10c的部分的未烧成陶瓷层叠体12a。在陶瓷生片上沿陶瓷多层基板10a、10b、10c的边界限定未烧成的边界限定导体图案16。边界限定导体图案16与陶瓷生片13的烧成收缩特性不同，若将未烧成陶瓷层叠体12a烧成，则在与边界限定导体图案16邻接的部分形成空隙18a、18b。已烧结的陶瓷层叠体12b以通过空隙18a、18b的切断面被分割。 |
发布日期：2009-06-16 21:46:00