| 专利名称： | 半导体陶瓷组分及其生产方法 |
| 公开（告）号： | CN101443289 |
| 公开（公告）日： | 2009-05-27 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200780016953.5 |
| 申请日： | 2007-10-26 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 日立金属株式会社 |
| (申请)专利权（人）： | 岛田武司;田路和也 |
| 内容： | 公开了一种不包含Pb的半导体陶瓷组分，其中BaTiO3中的部分 Ba被用Bi-Na代替。该半导体陶瓷组分的特征在于，将居里温度改变至正向，而不使用Pb，以及大大地降低室温下的电阻率。还公开了一种用于制造该半导体陶瓷组分的方法。特别地公开了一种由组分公式 [(BiNa)xBa1-x]TiO3表示的半导体陶瓷组分，其中x满足0＜x≤0.3。通过分开地制备不包含半导体掺杂剂的BaTiO3煅烧粉末和(BiNa)TiO3煅烧粉末，将煅烧粉末混合在一起、然后粉碎并成形该混合物，最后在具有1％或更低氧浓度的惰性气体气氛中烧结所得物质，获得所述的半导体陶瓷组分。 |
发布日期：2009-06-16 21:50:00