| 专利名称： | 一种纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100495622 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-03 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610161368.1 |
| 申请日： | 2006-12-22 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 南京萨特科技发展有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 邓 昱;崔旭高;韩小兵;南西荣;杨漫雪 |
| 内容： | 本发明涉及一种以纳米碳化硅-氧化铝复合陶瓷材料为基片主要成分的表面贴装片式熔断器及其制备方法。所说的纳米碳化硅-氧化铝陶瓷基片的表面贴装片式熔断器，包括陶瓷基片、金属熔断丝、绝缘层、封装层和金属端头，其特征在于，所说的陶瓷基片由70-97 ％摩尔的纳米氧化铝和1-30％摩尔的纳米碳化硅为主要原料制成。所说的表面贴装片式熔断器是按上述的陶瓷基片的原料配比制得复合纳米陶瓷粉末，再用复合纳米陶瓷粉末为原料按常规方法制备得到本发明的表面贴装片式熔断器。本发明的熔断器通过采用纳米碳化硅-氧化铝复合陶瓷基片提高表面贴装片式熔断器陶瓷基片的机械韧性、耐热性和电绝缘性。 |
发布日期：2009-06-23 22:49:00