| 专利名称： | 高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101456732 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810205227.4 |
| 申请日： | 2008-12-31 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 李玉臣;姚 烈;朱怀志;董显林;张仲猷 |
| 内容： | 本发明涉及一种高温高灵敏度压电陶瓷材料及其制备方法，属陶瓷组成与制备领域。本发明的其组成式为： xPbZrO3+yPbTiO3+zPbNbO3+mSrTiO3+nLaTiO3+awt.％SiO2+bwt.％Cr2O3+cw t.％Nb2O5+d wt.％La2O3；其中，x＝0.4～0.6；y＝0.4～0.5；z＝0.001～0.05；m＝0.0～0.05； n＝0.01～0.05；x+y+z+m+n＝1；a＝0～0.5；b＝0～0.5；c＝0～0.5；d＝0～0.5。本发明在传统压电陶瓷工艺基础上进行改进制备，主要性能为：d33＝500pC/N，ε33T/εo＝1800， g33＝31.4、tgδ＝1.5，Kp＝0.62、Qm＝60，Tc＝352℃，ρv(200℃)＝7.8×108Ω·cm；本发明材料具有使用温度高(可达200℃)、灵敏度(g33＝31.4)高、接收信号强，稳定性好的特点。 |
发布日期：2009-06-24 21:24:00