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| 专利名称： | 一种导电负热膨胀陶瓷 |
| 公开（告）号： | CN100500611 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-17 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200610165031.8 |
| 申请日： | 2006-12-12 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京科技大学 |
| (申请)专利权（人）： | 邢献然;李 璐;孙 策;刘桂荣 |
| 内容： | 摘要 一种导电负热膨胀陶瓷，属于无机非金属材料领域，特别涉及一种能够在 400～700℃范围内使用的且具有导电性能负热膨胀陶瓷。其特征在于利用高温固相法制备Zr1-xYbxW2O8、0.0≤x≤0.1，初始原料为ZrO2、WO3以及Yb2O3；按照 Zr1-xYbxW2O8称取符合化学剂量比的ZrO2、WO3以及Yb2O3，称量后的样品在乙醇溶液中球磨1～24小时，球磨后的粉体压制成片，在1100～1300℃温度范围内煅烧1～48小时，淬冷至室温，淬冷后的产物在乙醇溶液中球磨1～24小时后，压制成片，在1100～1300℃温度范围内烧结1～24小时，冷却后的样品即为具有导电性能的负膨胀材料Zr1-xYbxW2O8。本发明化合物合成方法简易，在很宽的温度范围内具有负膨胀特性，同时该化学物在400℃电导率增加到半导体区间。 |
发布日期：2009-06-30 04:49:00