| 专利名称： | 用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN100503514 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200510016502.4 |
| 申请日： | 2005-01-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 王岩松;范 翊;罗劲松;张立功 |
| 内容： | 本发明属于电子材料技术领域，是一种用于高温传感器的Si-B-C-N非晶陶瓷材料的制备方法。采用高温热裂解聚合物前驱体法，具体步骤是：选取二乙烯基二氯硅烷和乙硼烷的乙醚溶液作为起始原料，化学合成聚合物前驱体；固化、交联，生成固态聚合物；通过球磨，将固态聚合物研磨成粉末；把固态聚合物粉末压成片状，在高温下烧结，使聚合物热解为Si-B-C-N非晶陶瓷。本发明选用的起始原料很普遍，价格比用其它原料低很多，生产成本较低；硼的掺杂效果很好，硼的含量也比较容易控制，制备出的产品性能良好；工艺简单，实验条件容易实现，适用于大规模生产。 |
发布日期：2009-06-30 05:05:00