| 专利名称： | 一种用于中高压多层片式结构的陶瓷电容器 |
| 公开（告）号： | CN100505122 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200410101851.1 |
| 申请日： | 2004-12-29 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 同方股份有限公司 |
| (申请)专利权（人）： | 吉 岸;王晓慧;陈仁政;张 力 |
| 内容： | 一种用于中高电压的多层片式结构的陶瓷电容器，涉及陶瓷电容器技术领域。本发明包括用陶瓷材料制成的、带三种类型内电极形式的数多片介质层和两端外电极。其中一类介质层的内电极一的形状为二至N个矩形、间隔布列并使排列在两侧边的内电极一的外边缘分别与两端外电极连接，二类介质层的内电极二的形状为二至二乘以N 减二个环式四边形，三类介质层的内电极三的形状为一至N减一个矩形、间隔布列。其中N为大于二的自然数，上述三类数多片介质层依次叠加。同现有技术相比，本发明可以很大程度的降低边缘电场畸变引发的击穿几率，大幅度的提高抗高压击穿强度。 |
发布日期：2009-06-30 05:14:00