| 专利名称： | 高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101462877 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200810205229.3 |
| 申请日： | 2008-12-31 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 张文斌;张仲猷;董显林 |
| 内容： | 本发明涉及高稳定低损耗发射压电陶瓷材料及其制备方法，属于电子元器件制造领域。本发明基本化学组成为 xPbTiO3+yPbZrO3+zBaTiO3+wSrTiO3+uCaFeO5/2；复合有fwt.％的Cr2O3和 gwt.％的NiO或Bi2O3；其中0.30≤x≤0.50；0.40≤y≤0.70；0.01≤z≤0.10；0.01≤w ≤0.10；0.0≤u≤0.10；0.01≤f≤0.30；0.01≤f≤0.50。本发明经配料混合、压块成型、预烧、烧结获得的材料的介电常数ε＝1200-1400、压电系数d33＝280～ 380pC/N、机械品质因数Qm＝400～600。本发明具有介电损耗低、晶粒细小、致密度高、机械强度高的特点，温度稳定性好，在超声换能器、特别是在石油声波测井领域具有广阔的应用前景。 |
发布日期：2009-06-30 20:48:00