| 专利名称： | 一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101462880 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910020810.2 |
| 申请日： | 2009-01-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 西安交通大学 |
| (申请)专利权（人）： | 杨建锋;刘荣臻;谷文炜;高积强 |
| 内容： | 本发明公开了一种碳化硅基增强复合陶瓷及制备方法，其特征在于，按重量百分数，包括下述组分：碳化硅粉末30％～40％、碳化硼粉末5％～17％、纳米碳黑9％～12％、金属硅40％～50％。先将碳化硅粉末、碳黑、碳化硼粉末球磨湿混，得到混合粉末，加入粘接剂PVB造粒，模压成型，然后将成型生坯烘干后，放入空气炉中排胶。最后将其放入石墨坩埚中，坩埚内事先放入硅粉，在真空条件下于1450-1550℃保温1～3小时完成渗硅烧结，即获得烧结体。本发明制备的碳化硼颗粒增强反应烧结碳化硅复合陶瓷可广泛用作高温气氛及腐蚀性气氛下的结构材料，摩擦磨损材料等，因其具有更好的强韧性及硬度，可以做为传统反应烧结碳化硅的替代材料。 |
发布日期：2009-06-30 20:53:00