| 专利名称： | 制备β-氧化铝陶瓷膜的方法 |
| 公开（告）号： | CN101462868 |
| 公开（公告）日： | 2009-06-24 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200910044892.4 |
| 申请日： | 2009-01-05 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 中国科学院上海硅酸盐研究所 |
| (申请)专利权（人）： | 温兆银;李 宁;徐小刚;吴相伟;林 久;顾中华;徐孝和;刘 宇;张敬超 |
| 内容： | 本发明涉及一种制备β-氧化铝陶瓷膜的方法，具体涉及一种流延法制备 β-Al2O3陶瓷膜，属于离子导电陶瓷材料领域。本发明使用粘结剂、塑性剂、分散剂等有机添加剂制备良好的流变性能的浆料，并通过流延成型获得具有一定的强度和柔韧性的beta-Al2O3生坯膜；通过对生坯的后续烧结，获得 beta-Al2O3陶瓷膜。制备得到厚度为100～300μm的beta-Al2O3陶瓷膜，相对密度高达97.3％，200℃下电导率达到0.012Scm-1。整个过程工艺设备简单，成本低。 |
发布日期：2009-06-30 20:44:00