| 专利名称： | 高纯硼化锆/硼化铪粉体及其超高温陶瓷靶材的制备方法 |
| 公开（告）号： | CN101468918 |
| 公开（公告）日： | 2009-07-01 00:00:00 |
| 申请（专利）号： | CN200710304465.6 |
| 申请日： | 2007-12-28 00:00:00 |
| 发明（设计）人： | 北京有色金属研究总院 |
| (申请)专利权（人）： | 储茂友;王星明;邓世斌;韩 沧;张碧田;段华英;张明贤;龚述荣;潘德明 |
| 内容： | 本发明公开了属于陶瓷靶材技术领域的一种高纯超高温陶瓷靶材的制备方法，具体为高纯硼化锆/硼化铪粉体及其陶瓷靶材的制备方法。该方法是以高纯Zr粉，Hf粉以及高纯B粉为原料，采用自蔓延法分别制备高纯ZrB2和HfB2粉体，再采用高温高压的热压成型工艺制备高纯致密的硼化锆/硼化铪超高温陶瓷靶材，靶材相对密度达到95～99％。相对于现有技术，本方法混料时金属粉稍过量，弥补了自蔓延反应过程中金属的损失，进一步保证了产物组分的单一性。相对于无压烧结，本方法所需要的烧结温度大大降低，并且本热压工艺采用两段式温度，均匀了坯料的温度场，为后期热压过程中得到密度均匀的靶材，提供了保证。 |
发布日期：2009-07-03 04:02:00